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磁场测量仪基本知识
更新时间:2011-1-29 14:30:21 作者:admin 来源:长春创元测试设备有限公司 浏览:12990 次  关闭
1、  空芯线圈探测方式——应用于法拉第定律。
2、  霍尔元件探测方式——应用于1879年E.H.Hall发明的霍尔效应。
3、  磁通门探测方式——1936年H.Aschenbrenner和G.Gaubau发表。
4、  磁共振探测方式——1984年日本MTI公司与日本九州大学发表。
5、  其他——MI原件、MR原件、SQUID。
 
二、磁通门探测方式与霍尔元件探测方式的区别

 
磁通门探测方式
霍尔元件探测方式
 
长处
传感器温度特性良好
传感器外形小
使用测量微小变动的磁场
能测量强大的磁场
零点漂移非常小
能测量磁通门方式不能测量的高频磁场
 
短处
传感部大
每次使用前必须要调整归零
不适用于测量强力磁场
比磁通门房时温度性能强
不能测量高频率的磁场
零点漂移大,不适用测量微小变化的磁场

 
三、单位换算表
 
磁场量
记号
MKS单位
CGS电磁单位
CGS静电单位
起磁力
M
1(A)
4π/10(Gilert)
4π×3×109(esu)
磁场强度
H
1(A/m)
4π×10-3(Oersted)
4π×3×107(esu)
磁束
Φ
1(Wb)
108(Maxwell)
1/(3×102)(esu)
磁束密度
B
1(T)
104(Gauss)
1/(3×106)(esu)
磁极强度
 
1(Wb)
108/4π(emu)
1/(4π×3×102)(esu)
感应系数
L
1(H)
109(emu)
1/(9×1011)(esu)
透磁率
μ
1(H/m)
107/4π(emu)
1/(4π×9×1013)(esu)
 
     全磁场的计算公式
 
 
 

T(特斯拉)
G(高斯)
1 T
1000mT
104G
10kG
0.1 T
100mT
1000G
1kG
0.01 T
10mT
100G
0.1kG
0.001 T
1mT
10G
10G
1×10-4T
100μT
1G
1G
1×10-5T
10μT
0.1G
100mG
1×10-6T
1μT
0.01G
10mG
1×10-7T
100nT
0.001G
1mG
1×10-8T
10nT
1×10-4G
100μG
1×10-9 T
1nT
1×10-5G
10μG
1×10-10T
0.1nT
1×10-6G
1μG
1×10-11T
0.01nT
1×10-7G
0.1μG

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