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2017/09/06
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磁通门探测方式 |
霍尔元件探测方式 |
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长处 |
传感器温度特性良好 |
传感器外形小 |
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使用测量微小变动的磁场 |
能测量强大的磁场 | |
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零点漂移非常小 |
能测量磁通门方式不能测量的高频磁场 | |
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短处 |
传感部大 |
每次使用前必须要调整归零 |
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不适用于测量强力磁场 |
比磁通门房时温度性能强 | |
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不能测量高频率的磁场 |
零点漂移大，不适用测量微小变化的磁场 |
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磁场量 |
记号 |
MKS单位 |
CGS电磁单位 |
CGS静电单位 |
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起磁力 |
M |
1（A） |
4π/10（Gilert） |
4π×3×109（esu） |
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磁场强度 |
H |
1（A/m） |
4π×10-3（Oersted） |
4π×3×107（esu） |
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磁束 |
Φ |
1（Wb） |
108（Maxwell） |
1/（3×102)（esu） |
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磁束密度 |
B |
1（T） |
104（Gauss） |
1/（3×106)（esu） |
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磁极强度 |
|
1（Wb） |
108/4π（emu） |
1/（4π×3×102）（esu） |
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感应系数 |
L |
1（H） |
109（emu） |
1/（9×1011）（esu） |
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透磁率 |
μ |
1（H/m） |
107/4π（emu） |
1/（4π×9×1013）（esu） |
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T（特斯拉） |
G（高斯） | ||
|
1 T |
1000mT |
104G |
10kG |
|
0.1 T |
100mT |
1000G |
1kG |
|
0.01 T |
10mT |
100G |
0.1kG |
|
0.001 T |
1mT |
10G |
10G |
|
1×10-4T |
100μT |
1G |
1G |
|
1×10-5T |
10μT |
0.1G |
100mG |
|
1×10-6T |
1μT |
0.01G |
10mG |
|
1×10-7T |
100nT |
0.001G |
1mG |
|
1×10-8T |
10nT |
1×10-4G |
100μG |
|
1×10-9 T |
1nT |
1×10-5G |
10μG |
|
1×10-10T |
0.1nT |
1×10-6G |
1μG |
|
1×10-11T |
0.01nT |
1×10-7G |
0.1μG |
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